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RD30JSAB产品参数
型号:RD30JSAB
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.49
其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:200 Ω
JEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:30 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5.871%
工作测试电流:5 mA
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