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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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RD48F4444LVZTB0产品参数
型号:RD48F4444LVZTB0
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTEL CORP
零件包装代码:BGA
包装说明:LFBGA, BGA103,9X12,32
针数:88
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.66
最长访问时间:88 ns
其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块:TOP
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:S-PBGA-B88
JESD-609代码:e0
长度:11 mm
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
功能数量:1
部门数/规模:16,1020
端子数量:88
字数:67108864 words
字数代码:64000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:64MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA103,9X12,32
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
页面大小:4 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:1.8,3 V
编程电压:1.8 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm
部门规模:16K,64K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.051 mA
最大供电电压 (Vsup):2 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:11 mm
Base Number Matches:1
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