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  • RD6.8E-T2(1N5235)图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 集好芯城

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  • 厂家RENESAS(瑞萨)/IDT 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家NEC 
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • RD6.8ES-T1图
  • 北京首天国际有限公司

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  • RD6.8ES-T1
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  • 厂家NEC 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家RENESAS-瑞萨 
  • 封装DO-34 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家RENESAS-瑞萨 
  • 封装车规-二极管 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥0.8元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • RD6.8E/JM
  • 数量606 
  • 厂家NEC 
  • 封装DO-35 
  • 批号06+ 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • RD6.8EST1
  • 数量9800 
  • 厂家NEC 
  • 封装原厂原装 
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RD6.8E-T1B3产品参数
型号:RD6.8E-T1B3
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.84 V
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
最大电压容差:1.98%
工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1
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