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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家NEC-日本电气 
  • 封装SOT-89-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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RD6.8P产品参数
型号:RD6.8P
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
包装说明:R-PSSO-F3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.83
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:25 Ω
JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.8 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE
最大电压容差:5.88%
工作测试电流:5 mA
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