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  • 北京中其伟业科技有限公司

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RDN100N20FU6产品参数和技术文档

RDN100N20FU6产品图

RDN100N20FU6产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
3.14000
$3.14
10
2.83400
$28.34

RDN100N20FU6产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

详细描述:通孔 N 沟道 200V 10A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:散装

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):360 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):543pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):35W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220FN

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:500

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