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RDR005N25TL产品参数和技术文档

RDR005N25TL产品图

RDR005N25TL产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.25346
$760.38

RDR005N25TL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3

详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 500mA(Ta) 540mW(Ta) TSMT3

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):250V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.8 欧姆 @ 250mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):3.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):70pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):540mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TSMT3

封装/外壳:SC-96

标准包装:3,000

其它名称:RDR005N25TLTR

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