RE1C002ZPTL产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F

详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3F（SOT-416FL）

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：115pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150mW（Ta）

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：EMT3F（SOT-416FL）

封装/外壳：SC-89，SOT-490

标准包装：3,000

其它名称：RE1C002ZPTLTR