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产品型号RF1S40N10SM的概述

芯片RF1S40N10SM的概述 RF1S40N10SM是一种高性能的功率MOSFET,主要用于开关电源、LED驱动、电机控制等领域。近年来,随着电子设备对功率管理的要求逐渐提高,RF1S40N10SM因其优异的性能而受到广泛关注。该芯片具有低通导电阻、高速开关特性、良好的热管理能力等优势,使其适...
配单直通车
RF1S40N10SM产品参数
型号:RF1S40N10SM
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:INTERSIL CORP
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.32
其他特性:MEGAFET
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):40 A
最大漏源导通电阻:0.04 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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