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| 型号: | RF2125P |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, SOIC-8 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 5A991.G |
| HTS代码： | 8517.70.00.00 |
| 风险等级： | 5.91 |
| 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | COMPONENT |
| 增益： | 12 dB |
| 最大输入功率 (CW)： | 20 dBm |
| JESD-609代码： | e0 |
| 安装特点： | SURFACE MOUNT |
| 端子数量： | 8 |
| 最大工作频率： | 2200 MHz |
| 最小工作频率： | 1500 MHz |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 电源： | 6 V |
| 射频/微波设备类型： | NARROW BAND MEDIUM POWER |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers |
| 最大压摆率： | 410 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | GAAS |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 最大电压驻波比： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
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