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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 数量3800 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 封装SOP16 
  • 批号NEW 
  • 绝对进口原装现货,市场价格最低!!
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • RF2132
  • 数量10000 
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  • 封装SOP14 
  • 批号17+ 
  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • RF2132
  • 数量3563 
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  • 封装CAN/TO-3 
  • 批号2023 
  • 上海原装现货库存,欢迎查询!
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  • RF2132TR13图
  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • 数量26976 
  • 厂家RFMD 
  • 封装SOP14 
  • 批号2018+ 
  • ★★代理原装现货,特价热卖!★★
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  • RF2132图
  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • RF2132
  • 数量90000 
  • 厂家RFMD 
  • 封装SOP14 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • RF2132TR13图
  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • RF2132TR13
  • 数量12500 
  • 厂家RFMD 
  • 封装SOP14 
  • 批号23+ 
  • 全新原装现货,假一赔十
  • QQ:1774550803QQ:1774550803 复制
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  • 0755-82777855 QQ:1774550803QQ:2924695115
  • RF2132图
  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • RF2132
  • 数量7900 
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  • 封装SOP14 
  • 批号2020+ 
  • 一级代理 原装现货供应
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  • RF2132图
  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • RF2132
  • 数量5500 
  • 厂家RFMD 
  • 封装SOP14 
  • 批号20+ 
  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
  • QQ:1437347957QQ:1437347957 复制
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  • RF2132图
  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 数量800 
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  • 封装SOP14 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • RF2132图
  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量9000 
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  • 封装SOP-16 
  • 批号2021+ 
  • 优势价格.十年专营渠道.深圳原装现货
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • RF2132
  • 数量12000 
  • 厂家RF 
  • 封装SOP-14P 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
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  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
  • RF2132TR13图
  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • RF2132TR13
  • 数量20000 
  • 厂家RFMD 
  • 封装SOP 
  • 批号23+ 
  • 原装现货热卖!请联系吴先生 13681678667
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  • RF2132图
  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • RF2132
  • 数量35600 
  • 厂家RFMD 
  • 封装SOP-16 
  • 批号21+ 
  • 诚信经营,原装现货,假一赔十,欢迎咨询15323859243
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  • RF2132TR13图
  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • RF2132TR13
  • 数量108201 
  • 厂家RFMD 
  • 封装SOP/14 
  • 批号新 
  • 全新原装 货期两周
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  • RF2132图
  • 长荣电子

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  • RF2132
  • 数量32 
  • 厂家 
  • 封装SOP16 
  • 批号00+ 
  • 现货
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  • 754-4457500 QQ:172370262

产品型号RF2132的概述

芯片RF2132的概述 RF2132是一款由RFMD(现为Qorvo)推出的高性能射频前端集成电路(RFIC),主要应用于在2.4GHz频段的无线通信设备。该芯片设计用于满足诸如Wi-Fi、蓝牙以及其他各种无线通信协议的需求,提供低功耗、高增益、以及优良的线性度。这使RF2132在现代消费电子产品中得到了广泛的应用,如智能手机、平板电脑、以及各类无线传感器。 RF2132集成了功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、开关及相关的阻抗匹配电路。这种设计不仅减少了外部组件的需求,降低了系统的整体复杂性,也有助于缩小整体电路板的面积。此外,RF2132的高度集成特性使其在性能与成本之间取得了一种平衡,是现代无线通信的理想选择。 芯片RF2132的详细参数 RF2132的主要规格参数如下: - 工作频段:2.4GHz - 功率增益:大约30dB - 输入回损:大于10dB - 输出功率:通...

产品型号RF2132的Datasheet PDF文件预览

RF2132  
LINEAR POWER AMPLIFIER  
2
Typical Applications  
• 4.8V AMPS Cellular Handsets  
• 4.8V CDMA/AMPS Handsets  
• 4.8V JCDMA/TACS Handsets  
• Driver Amplifier in Cellular Base Stations  
• Portable Battery-Powered Equipment  
2
Product Description  
-A-  
0.009  
0.004  
0.158  
0.150  
The RF2132 is a high power, high efficiency linear ampli-  
fier IC. The device is manufactured on an advanced Gal-  
lium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)  
process, and has been designed for use as the final RF  
amplifier in dual-mode 4-cell CDMA/AMPS handheld digi-  
tal cellular equipment, spread-spectrum systems, and  
other applications in the 800MHz to 950MHz band. The  
device is self-contained with 50input and the output  
can be easily matched to obtain optimum power, effi-  
ciency, and linearity characteristics over varying supply  
and control voltages.  
0.021  
0.014  
0.069  
0.064  
0.392  
0.386  
0.050  
0.244  
0.230  
0.060  
0.054  
8° MAX  
0° MIN  
0.010  
0.008  
0.035  
0.016  
Optimum Technology Matching® Applied  
Package Style: Standard Batwing  
Si BJT  
GaAs MESFET  
üGaAs HBT  
SiGe HBT  
Si Bi-CMOS  
Si CMOS  
Features  
• Single 4.2V to 5.0V Supply  
VCC 1  
16 GND  
• Up to 29 dBm Linear Output Power  
• 29dB Gain With Analog Gain Control  
• 45% Linear Efficiency  
NC  
2
3
15 RF OUT  
14 RF OUT  
13 GND  
RF IN  
GND 4  
GND 5  
GND 6  
GND 7  
PC 8  
• On-board Power Down Mode  
• 800MHz to 950MHz Operation  
12 GND  
11 RF OUT  
10 RF OUT  
9 GND  
BIAS  
Ordering Information  
RF2132  
Linear Power Amplifier  
RF2132 PCBA  
Fully Assembled Evaluation Board  
RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road  
Greensboro, NC 27409, USA  
Tel (336) 664 1233  
Fax (336) 664 0454  
http://www.rfmd.com  
Functional Block Diagram  
Rev B9 010417  
2-109  
RF2132  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Supply Voltage (No RF)  
Rating  
-0.5 to +8.0  
Unit  
V
DC  
Caution! ESD sensitive device.  
Supply Voltage (P  
<32dBm)  
-0.5 to +5.0  
V
OUT  
DC  
Power Control Voltage (V  
)
-0.5 to +5.0 or V  
V
PC  
CC  
RF Micro Devices believes the furnished information is correct and accurate  
at the time of this printing. However, RF Micro Devices reserves the right to  
make changes to its products without notice. RF Micro Devices does not  
assume responsibility for the use of the described product(s).  
DC Supply Current  
Input RF Power  
Output Load VSWR  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
800  
+12  
10:1  
mA  
dBm  
2
-40 to +150  
200  
°C  
°C  
Specification  
Parameter  
Overall  
Unit  
Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
T=25 °C, V =4.8V, V =4.0V,  
CC  
PC  
Freq=824MHz to 849MHz  
Usable Frequency Range  
Linear Gain  
Total Linear Efficiency  
Efficiency at Max Output  
OFF Isolation  
800  
27  
40  
50  
23  
824 to 849  
950  
31  
MHz  
dB  
%
%
dB  
29  
45  
55  
27  
V
=0V,P =+6dBm  
PC IN  
Second Harmonic  
-30  
28.5  
-46  
dBc  
Including Second Harmonic Trap  
IS-95A CDMA Modulation  
Pout = 28 dBm  
ACPR can be improved by trading off effi-  
ciency.  
Maximum Linear Output Power  
Adjacent Channel Power Rejec-  
tion @ 885 kHz  
29  
-44  
dBc  
Adjacent Channel Power Rejec-  
tion @ 1.98 MHz  
-58  
32  
-56  
dBc  
Pout = 28 dBm  
Maximum CW Output Power  
Operating Case Temperature  
Ambient Operating Temperature  
Junction to Case Thermal Resis-  
tance  
31.5  
-30  
-30  
dBm  
°C  
°C  
110  
100  
Pout = 31 dBm, Efficiency = 55%  
85  
°C/W  
Input VSWR  
<2:1  
Output Load VSWR  
10:1  
No oscillations  
“OFF” State  
Power Down  
Turn On/Off Time  
Total Current  
100  
10  
0.5  
ns  
µA  
V
V
“OFF” Voltage  
0.2  
3.6  
PC  
PC  
V
“ON” Voltage  
4.0  
Vcc  
V
Power Supply  
Power Supply Voltage  
Idle Current  
4.2  
4.8  
40  
5.0  
100  
V
mA  
Operating voltage  
V
=4.0V  
PC  
Current into VPC pin  
15  
20  
mA  
“ON” State  
2-110  
Rev B9 010417  
RF2132  
Pin  
1
Function Description  
Interface Schematic  
Power supply for the driver stage, and interstage matching. Shunt  
inductance is required on this pin, which can be achieved by an induc-  
tor to V , with a decoupling capacitor on the V side. The value of  
VCC1  
VCC  
CC  
CC  
RF IN  
the inductor is frequency dependent; 3.3nH is required for 830MHz,  
and 1.2nH for 950MHz. Instead of an inductor, a high impedance  
microstrip line can be used.  
From Bias  
Stages  
Not Connected.  
2
3
NC  
RF IN  
2
RF input. This is a 50input, but the actual input impedance depends See pin 1.  
on the interstage matching network connected to pin 1. An external DC  
blocking capacitor is required if this port is connected to a DC path to  
ground or a DC voltage.  
Ground connection. Keep traces physically short and connect immedi-  
ately to the ground plane for best performance.  
4
GND  
Same as pin 4.  
5
6
GND  
GND  
Ground for stage 1. Keep traces physically short and connect immedi-  
ately to ground plane for best performance. This ground should be iso-  
lated from the batwing and other ground contacts. See evaluation  
board layout.  
Same as pin 6.  
7
8
GND  
PC  
Power Control. When this pin is "low", all circuits are shut off. A "low" is  
typically 0.5V or less at room temperature. During normal operation  
this pin is the power control. Control range varies from about 2V for  
PC  
0dBm to V for +31dBm RF output power. The maximum power that  
CC  
To RF  
Transistors  
can be achieved depends on the actual output matching. PC should  
never exceed 5.0V or V , whichever is the lowest.  
CC  
Same as pin 4.  
9
GND  
RF Output and power supply for the output stage. The four output pins  
are combined, and bias voltage for the final stage is provided through  
these pins. The external path must be kept symmetric until combined to  
ensure stability. An external matching network is required to provide the  
optimum load impedance; see the application schematics for details.  
10  
RF OUT  
RF OUT  
From Bias  
Stages  
Same as pin 10.  
Same as pin 4.  
Same as pin 4.  
Same as pin 10.  
Same as pin 10.  
Same as pin 4.  
See pin 10.  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
RF OUT  
GND  
GND  
RF OUT  
RF OUT  
GND  
See pin 10.  
See pin 10.  
Rev B9 010417  
2-111  
RF2132  
Application Schematic  
VCC  
1 nF  
Vcc = 4.8 V  
Vpc = 4.0 V  
100 pF  
6.8 nH  
2
1.8 nH  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
100 pF  
100 pF  
RF IN  
3 pF  
18 k  
100 pF  
4.3 pF  
3.3 nH  
BIAS  
RF OUT  
12 pF  
VPC  
1 nF  
Evaluation Board Schematic  
(Download Bill of Materials from www.rfmd.com.)  
Power supply filtering/bypassing for Vcc  
Vcc = 4.8 V  
Vpc = 4.0 V  
P1-1  
C1  
100 nF  
C2  
11  
C3  
1 µF  
C4  
1 nF  
µ
F
P1  
1
2
3
P1-1  
P1-3  
VCC  
C5  
100 pF  
L1  
1.8 nH  
Interstage tuning (L1) for  
centering output frequency  
GND  
PC  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
C6  
100 pF  
L2  
6.8 nH  
C8  
33 pF  
RF IN  
J1  
Bias inductor for the  
amplifier output stage  
C7  
3 pF  
Harmonic trap: C7 series resonates with  
internal bondwires of pins 14 and 15 at  
2f0 to effectively short out 2nd harmonic  
for optimum gain and efficiency  
Adds bias to the first  
amplifier stage for  
improved linearity  
R1  
18 k  
C9  
100 pF  
L3  
3.3 nH  
BIAS  
RF OUT  
J2  
C10  
12 pF  
C11  
4.3 pF  
P1-3  
Matching network for  
optimum load impedance  
C12  
3.3  
C13  
1 nF  
C14  
100 pF  
µ
F
Power supply filtering/bypassing for VPC  
2-112  
Rev B9 010417  
RF2132  
Evaluation Board Layout  
2” x 2”  
2
Rev B9 010417  
2-113  
RF2132  
RF2132 Evaluation Board  
Vcc = 4.8 V, Vpc = 4.0 V, Frequency = 836 MHz, IS-95A CDMA  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
2
ACPR 1.98 MHz  
ACPR 885 kHz  
Current  
Total Efficiency  
0
0
28  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
Pout (dBm)  
2-114  
Rev B9 010417  
配单直通车
RF2132产品参数
型号:RF2132
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RF MICRO DEVICES INC
包装说明:ROHS COMPLIANT, SOP-16
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79
其他特性:IT CAN ALSO OPERATE AT 800 TO 950 MHZ
特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT
增益:27 dB
最大输入功率 (CW):12 dBm
JESD-609代码:e3
安装特点:SURFACE MOUNT
端子数量:16
最大工作频率:849 MHz
最小工作频率:824 MHz
最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SOP16,.25
电源:5.8 V
射频/微波设备类型:NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率:100 mA
表面贴装:YES
技术:GAAS
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
最大电压驻波比:10
Base Number Matches:1
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