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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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  • 0755- QQ:84556259QQ:783839662
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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 诚信经营,原装现货,假一赔十,欢迎咨询15323859243
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  • -0755-82711370 QQ:815442201QQ:483601579
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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 原装现货热卖!请联系吴先生 13681678667
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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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产品型号RF2301的概述

芯片RF2301的概述 RF2301是一款高集成度的无线射频(RF)收发器,专为低功耗无线通信系统设计,特别适用于传感器网络、监控系统以及物联网(IoT)应用。该芯片的设计理念基于低功耗、高性能和小型化,确保其在不牺牲功能的前提下能够适应多种应用场景。 RF2301芯片工作在2.4 GHz ISM频段,这一频段被广泛应用于各种短距离无线通信中。由于其低功耗特性,RF2301特别适用于电池供电设备,使得该芯片成为了许多移动设备和可穿戴设备的理想选择。其内置的高性能调制解调器和频率合成器能够确保可靠的数据传输,同时还减小了外围组件的需求。 芯片RF2301的详细参数 RF2301具有许多令人满意的技术规格,其主要参数如下: - 工作频率: 2.4 GHz ISM频段 - 调制方式: O-QPSK (Offset Quadrature Phase Shift Keying) - 最大传输速率...

产品型号RF2301的Datasheet PDF文件预览

RF2301  
HIGH ISOLATION BUFFER AMPLIFIER  
4
Typical Applications  
• Local Oscillator Buffer Amplifiers  
• Portable Battery-Powered Equipment  
• Wireless LAN  
• FDD and TDD Communication Systems  
• Commercial and Consumer Systems  
• ISM Band Applications  
Product Description  
4
-A-  
0.008  
0.004  
The RF2301 is a high reverse isolation buffer amplifier.  
The device is manufactured on a low-cost Gallium Ars-  
enide MESFET process, and has been designed for use  
as a general purpose buffer in high-end communication  
systems operating at frequencies from less than 300MHz  
to higher than 2500MHz. With +5dBm output power, it  
may also be used as a driver in transmitter applications.  
The device is packaged in an 8-lead plastic package. The  
product is self-contained, requiring just a resistor and  
blocking capacitors to operate. The output power, com-  
bined with 50dB reverse isolation at 900MHz allows  
excellent buffering of LO sources to impedance changes.  
The device can be used in 3V battery applications. The  
unit has a total gain of 17dB with only 14mA current from  
a 3V supply.  
0.018  
0.014  
0.196  
0.189  
0.050  
Dimensions in mm  
0.068  
0.053  
0.157  
0.150  
0.244  
0.229  
NOTES:  
1. Shaded lead is Pin 1.  
2. All dimensions are excluding  
mold flash.  
3. Lead coplanarity -  
0.005 with respect to datum "A".  
8° MAX  
0° MIN  
0.009  
0.007  
0.034  
0.016  
Optimum Technology Matching® Applied  
Package Style: SOIC-8  
Si BJT  
GaAs HBT  
üGaAs MESFET  
Si CMOS  
Si Bi-CMOS  
SiGe HBT  
Features  
• Single 2.7V to 6.0V Supply  
• +4dBm Output Power  
• 21dB Small Signal Gain  
• 50dB Reverse Isolation at 900MHz  
• Low DC Current Consumption of 14mA  
• 300MHz to 2500MHz Operation  
GND  
GND  
RF IN  
GND  
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD1  
VDD2  
RF OUT  
GND  
Ordering Information  
RF2301  
High Isolation Buffer Amplifier  
RF2301 PCBA  
Fully Assembled Evaluation Board  
RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road  
Greensboro, NC 27409, USA  
Tel (336) 664 1233  
Fax (336) 664 0454  
http://www.rfmd.com  
Functional Block Diagram  
Rev A8 010717  
4-37  
RF2301  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Rating  
Unit  
Supply Voltage (V  
)
-0.5 to +6.5  
V
DD  
DC  
Caution! ESD sensitive device.  
DC Supply Current  
Input RF Power  
Operating Ambient Temperature  
Storage Temperature  
60  
+10  
-40 to +85  
-40 to +150  
mA  
dBm  
°C  
RF Micro Devices believes the furnished information is correct and accurate  
at the time of this printing. However, RF Micro Devices reserves the right to  
make changes to its products without notice. RF Micro Devices does not  
assume responsibility for the use of the described product(s).  
°C  
Specification  
Typ.  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
Max.  
T=25°C, V =5V  
Overall  
Nominal Frequency Range  
DD  
DC  
4
300 to 2500  
-8  
MHz  
dBm  
Input IP  
3
Noise Figure  
8
dB  
Input VSWR  
Output VSWR  
Power Supply Voltage  
<2:1  
<2:1  
2.7 to 6.0  
In a 50system  
In a 50system  
V
Using Broad Band Application Circuit,  
=5V , Freq=2500MHZ, T=25°C  
Nominal 5V Configuration  
V
DD  
DC  
Gain  
21  
10  
24  
+4  
26  
40  
dB  
dBm  
P
Output Power  
1dB  
Supply Current  
Reverse Isolation  
30  
50  
50  
40  
40  
mA  
dB  
dB  
dB  
dB  
900MHz, without RF input  
900MHz, with RF input, saturated  
2500MHz, without RF input  
2500MHz, with RF input, saturated  
Using Broad Band Application Circuit,  
Nominal 3V Configuration  
V
=3V , Freq=2500MHZ, T=25°C  
DD  
DC  
Gain  
15  
17  
0
dB  
dBm  
P
Output Power  
1dB  
Supply Current  
Reverse Isolation  
14  
50  
50  
40  
40  
mA  
dB  
dB  
dB  
dB  
900MHz, without RF input  
900MHz, with RF input, saturated  
2500MHz, without RF input  
2500MHz, with RF input, saturated  
4-38  
Rev A8 010717  
RF2301  
Pin  
1
Function Description  
Interface Schematic  
Low inductance ground connections. Use individual vias to backside  
GND  
ground plane, placed within 0.030" of pin landing for optimum perfor-  
mance.  
Same as pin 1.  
2
3
GND  
RF IN  
DC-coupled RF input. A broadband impedance match is produced by  
internal shunt resistive feedback. The DC level is 0V. If a DC voltage is  
present from connected circuitry, an external DC-blocking capacitor is  
required for the proper DC operating point.  
Same as pin 1.  
Same as pin 1.  
4
5
6
GND  
GND  
RF OUT  
Open drain RF output. A broadband impedance match is produced by  
an external 100resistor to power supply as shown in Application  
Schematic 1. Approximately 3dB improvement in gain and output  
power can be obtained over at least a 20% bandwidth by replacing the  
resistor to power supply with an external chip inductor network as  
shown in Application Schematic 2. An external DC-blocking capacitor is  
required if the following circuitry is not DC-blocked.  
VDD1  
VDD2  
4
RF OUT  
RF IN  
Power supply connections. Bypass with external chip capacitor and  
individual via to backside ground plane.  
7
8
VDD2  
VDD1  
Power supply connections. Bypass with external chip capacitor and  
individual via to backside ground plane.  
Rev A8 010717  
4-39  
RF2301  
Application Schematic 1  
Broadband Match  
VDD  
1 nF  
1
2
3
4
8
7
6
5
100  
RF IN  
RF OUT  
4
100 pF  
100 pF  
Application Schematic 2  
Optimum Match  
VDD  
100 pF  
1
2
3
4
8
7
6
5
L2  
RF IN  
RF OUT  
L1  
100 pF  
100 pF  
FREQUENCY  
900 MHz  
L1  
18 nH 22 nH  
---- 2.7 nH  
L2  
2500 MHz  
4-40  
Rev A8 010717  
RF2301  
Evaluation Board Schematic  
(Download Bill of Materials from www.rfmd.com.)  
P1-1  
C3  
100 pF  
1
2
3
4
8
7
6
5
C4  
1 nF  
A
C
C1  
100 pF  
50 Ω µstrip  
50 Ω µstrip  
B
J1  
RF IN  
J2  
RF OUT  
C2  
100 pF  
4
See Chart  
2301400A  
P1  
COMPONENT  
B
FREQUENCY  
BAND  
1
2
3
A
C
P1-1  
VDD  
GND  
BROADBAND  
(default config.)  
100 Ω  
0 Ω  
N/A  
900 MHz  
N/A  
18 nH  
22 nH  
N/A  
2450 MHz  
2.7 nH  
0 Ω  
Evaluation Board Layout  
1.43” x 1.43”  
Board Thickness 0.031”; Board Material FR-4  
Rev A8 010717  
4-41  
RF2301  
Typical Characteristics  
Broadband Application Circuit  
30  
20  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Gain  
10  
Idd  
0
4
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
P1dB  
Reverse Isolation  
-60  
3
0
3.5  
4
4.5  
5
Vdd (V)  
30  
Gain  
20  
20  
10  
0
-10  
-20  
-30  
-30  
Reverse Isolation  
-40  
-50  
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
Frequency (MHz)  
Frequency (MHz)  
4-42  
Rev A8 010717  
RF2301  
S11, V = 3V  
CC  
S22, V = 3V  
CC
Swp Max  
6GHz  
Swp Max  
6GHz  
0
.
0
.
4
4
5.5 GHz  
600 MHz  
5 GHz  
500 MHz  
1 GHz  
4
5 GHz  
3 GHz  
100 MHz  
4.5 GHz  
2 GHz  
Swp Min  
0.01GHz  
Swp Min  
0.01GHz  
S11, V = 5V  
CC
S22, V = 5V  
CC
Swp Max  
6GHz  
Swp Max  
6GHz  
0
.
0
.
4
4
3 GHz  
5 GHz  
500 MHz  
1.5 GHz  
5 GHz  
3.7 GHz  
100 MHz  
4.5 GHz  
2.5 GHz  
Swp Min  
0.01GHz  
Swp Min  
0.01GHz  
S-Parameter Conditions:  
All plots are taken at ambient temperature=25°C.  
NOTE:  
All S11 and S22 plots shown were taken from an RF2301 evaluation board with external input and output tuning compo-  
nents removed and the reference points at the RF IN and RF OUT pins.  
Rev A8 010717  
4-43  
RF2301  
Gain versus Temperature  
Freq = 900 MHz  
IIP3 versus Temperature  
Freq = 900 MHz  
23.0  
22.0  
21.0  
20.0  
19.0  
18.0  
17.0  
16.0  
15.0  
-5.0  
-5.5  
-6.0  
-6.5  
-7.0  
-7.5  
-8.0  
4
Vcc=3V  
Vcc=5V  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
Temperature (°C)  
Temperature (°C)  
OP1dB versus Temperature  
Freq = 900 MHz  
ICC versus Temperature  
Freq = 900 MHz  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0.0  
-1.0  
-2.0  
27.0  
26.0  
25.0  
24.0  
23.0  
22.0  
21.0  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
Temperature (°C)  
Temperature (°C)  
4-44  
Rev A8 010717  
RF2301  
Gain versus Temperature  
Freq = 1950 MHz  
IIP3 versus Temperature  
Freq = 1950 MHz  
23.0  
22.0  
21.0  
20.0  
19.0  
18.0  
17.0  
16.0  
15.0  
-5.0  
-5.5  
-6.0  
-6.5  
-7.0  
-7.5  
-8.0  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
4
Vcc=3V  
Vcc=5V  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
Temperature (°C)  
Temperature (°C)  
OP1dB versus Temperature  
Freq = 1950 MHz  
ICC versus Temperature  
Freq = 1950 MHZ  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0.0  
-1.0  
26.0  
25.5  
25.0  
24.5  
24.0  
23.5  
23.0  
22.5  
22.0  
21.5  
21.0  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
Temperature (°C)  
Temperature (°C)  
Rev A8 010717  
4-45  
RF2301  
Gain versus Temperature  
Freq = 2450 MHz  
IIP3 versus Temperature  
Freq = 2450 MHz  
21.0  
20.0  
19.0  
18.0  
17.0  
16.0  
15.0  
14.0  
13.0  
-5.0  
-5.5  
-6.0  
-6.5  
-7.0  
-7.5  
-8.0  
-8.5  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
4
Vcc=3V  
Vcc=5V  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
Temperature (°C)  
Temperature (°C)  
OP1dB versus Temperature  
Freq = 2450 MHz  
ICC versus Temperature  
Freq = 2450 MHz  
3.0  
2.5  
27.0  
26.0  
25.0  
24.0  
23.0  
22.0  
21.0  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
-0.5  
-1.0  
-1.5  
-2.0  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
-60.0  
-40.0  
-20.0  
0.0  
20.0  
40.0  
60.0  
80.0  
100.0  
Temperature (°C)  
Temperature (°C)  
S11 of Evaluation Board versus Frequency  
Temperature = +25°C  
S22 of Evaluation Board versus Frequency  
Temperature = +25°C  
2.8  
2.6  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
3.0  
2.8  
2.6  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
Vcc=3V  
Vcc=5V  
Vcc=3.0V  
Vcc=5.0V  
0.0  
500.0  
1000.0  
1500.0  
2000.0  
2500.0  
0.0  
500.0  
1000.0  
1500.0  
2000.0  
2500.0  
Frequency (MHz)  
Frequency (MHz)  
4-46  
Rev A8 010717  
配单直通车
RF2301产品参数
型号:RF2301
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SOP8,.25
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT
增益:17 dB
最大输入功率 (CW):10 dBm
JESD-609代码:e0
安装特点:SURFACE MOUNT
端子数量:8
最大工作频率:2500 MHz
最小工作频率:300 MHz
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:SOP8,.25
电源:3/5 V
射频/微波设备类型:WIDE BAND LOW POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率:27 mA
表面贴装:YES
技术:GAAS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压驻波比:2
Base Number Matches:1
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