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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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产品型号RFL1N08L的概述

芯片RFL1N08L的概述 RFL1N08L是一款广泛应用于电子设备中的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要功能是用于开关和放大信号。这款芯片在许多电源管理和信号控制应用中都发挥着重要的作用,尤其在高效能和节能的设计需求日益增加的情况下,RFL1N08L的使用逐步扩大。 由于其...
配单直通车
RFL1N08L产品参数
型号:RFL1N08L
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTERSIL CORP
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.76
Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:1.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):35 pF
JEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:8.33 W
最大功率耗散 (Abs):8.3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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