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  • 上海熠富电子科技有限公司

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RFP12N10L产品参数和技术文档

RFP12N08L产品图

RFP12N10L产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.12000
$1.12
10
0.99200
$9.92
100
0.78410
$78.41
500
0.60808
$304.04
1,000
0.48007
$480.07

RFP12N10L产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):200 毫欧 @ 12A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):900pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):60W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:800

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