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RGT80TS65DGC11产品参数和技术文档

RGT80TS65DGC11产品图

RGT80TS65DGC11产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
4.09000
$4.09
10
3.64900
$36.49
25
3.28400
$82.10
100
2.99200
$299.20
250
2.70008
$675.02
500
2.42278
$1,211.39
1,000
2.04330
$2,043.30
2,500
1.94600
$4,865.00

RGT80TS65DGC11产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:IGBT 650V 70A 234W TO-247N

详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,40A

功率 - 最大值:234W

开关能量:-

输入类型:标准

栅极电荷:79nC

25°C 时 Td(开/关)值:34ns/119ns

测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):58ns

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247N

标准包装:30

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