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  • RJH60F05PQ-A0图
  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • RJH60F05PQ-A0
  • 数量22358 
  • 厂家RENESAS 
  • 封装TO-247-3 
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  • RJH60F05PQ-A0图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • RJH60F05PQ-A0
  • 数量18800 
  • 厂家RENESAS-瑞萨 
  • 封装TO-247-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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RJH60F0DPK-00-T0产品参数
型号:RJH60F0DPK-00-T0
是否Rohs认证:符合
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.21
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):50 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:8 V
门极-发射极最大电压:30 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):201.6 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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