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  • RJK0365DPA-03图
  • 深圳市科雨电子有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • RJK0365DPA-03
  • 数量9800 
  • 厂家瑞萨电子 | Renesas 
  • 封装QFN 
  • 批号21+ 
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RJK0366DPA-00-J0产品参数
型号:RJK0366DPA-00-J0
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:LEAD FREE, WPAK-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.81
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):25 A
最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.0168 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XDSO-N5
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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