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RJK03C0DPA-00-J53产品参数
型号:RJK03C0DPA-00-J53
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
包装说明:HALOGEN FREE AND LEAD FREE, WPAK-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):70 A
最大漏极电流 (ID):70 A
最大漏源导通电阻:2.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-N5
JESD-609代码:e4
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):280 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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