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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市宝隆宏业科技有限公司

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  • 深圳市徕派德电子有限公司

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RJK0601DPN-E0#T2产品参数

品牌:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH 60V 110A TO220

详细描述:通孔 N 沟道 60V 110A(Ta) 200W(Tc) TO-220AB

制造商:Renesas Electronics America

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 55A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):141nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):10000pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):200W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:1

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