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RJK5026DPP-00-T2产品参数
型号:RJK5026DPP-00-T2
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-220FN
包装说明:TO-220FN, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.74
Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A
最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:1.7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):28.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):18 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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