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  • RJP1CS08DWA-80#W0图
  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • RJP1CS08DWA-80#W0
  • 数量5000 
  • 厂家Renesas 
  • 封装N/A 
  • 批号23+ 
  • 只做进口原装QQ询价,专营射频微波十五年。
  • QQ:604502381
  • 0755-83002105 QQ:604502381
配单直通车
RJP1CS08DWT-80#X0产品参数
型号:RJP1CS08DWT-80#X0
Brand Name:Renesas
生命周期:Active
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73
最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:1250 V
门极-发射极最大电压:30 V
最高工作温度:150 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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