RJU002N06FRAT106产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3

制造商：Rohm Semiconductor

系列：汽车级，AEC-Q101

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.3 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：18pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：200mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：UMT3

封装/外壳：SC-70，SOT-323

标准包装：3,000

其它名称：RJU002N06FRAT106TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）