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RK3055ETL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 8A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8A(Ta) 20W(Tc) CPT3

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):520pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):20W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:CPT3

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:RK3055ETL-ND RK3055ETLTR

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