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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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RLZTE-115.1B产品参数
型号:RLZTE-115.1B
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.79
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:20 Ω
JESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3/e2
膝阻抗最大值:800 Ω
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:5.1 V
最大反向电流:5 µA
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:TIN/TIN COPPER
端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:2.6%
工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1
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