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  • RM1200HE-66S图
  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • RM1200HE-66S
  • 数量6000 
  • 厂家【新到原装现货】 
  • 封装模块 
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  • RM1200HE-66S【特价现货】图
  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • RM1200HE-66S【特价现货】
  • 数量86540 
  • 厂家MITSUBISH 
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  • 86-0755-82538863 QQ:1134344845QQ:847984313
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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 厂家MITSUBISHI 
  • 封装厂家直销.IGBT模块.可控硅模块二极管整流桥 
  • 批号19+ 
  • 普通
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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • RM1200HE-66S
  • 数量563 
  • 厂家MITSUBISH 
  • 封装Modules 
  • 批号21+ 
  • ■■■全新原装房间现货 可长期供货
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  • RM1200HE-66S图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • RM1200HE-66S
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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
  • QQ:1989265666
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • 数量8000 
  • 厂家MITSUBISHI/三菱 
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  • 深圳市领航达电子有限公司

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  • 数量1690 
  • 厂家日本三凌 
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  • 上海硅威科技有限公司

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  • RM1200HE-66S
  • 数量8880 
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RM1200HE-66S产品参数
型号:RM1200HE-66S
生命周期:Active
零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.72
其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接:ISOLATED
配置:PARALLEL CONNECTED, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):3.77 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X4
最大非重复峰值正向电流:9600 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1200 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:3300 V
最大反向电流:30000 µA
最大反向恢复时间:1.4 µs
反向测试电压:3300 V
子类别:Other Diodes
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
Base Number Matches:1
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