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| 型号: | RM25C64C-LSNI-B |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOIC-8 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 1.61 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 10 MHz |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.925 mm |
| 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 |
| 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 串行总线类型： | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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