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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市弘为电子有限公司

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  • RN1110MFV,L3F
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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RN1110MFV,L3F产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:-

包装:Digi-Reel®

零件状态:Digi-Key 停产

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1):4.7 kOhms

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

功率 - 最大值:150mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-723

供应商器件封装:VESM

标准包装:1

其它名称:RN1110MFV(TL3T)DKR RN1110MFV(TL3T)DKR-ND RN1110MFVL3FDKR

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