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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • RN1704JE
  • 八零友创集团

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家Toshiba 
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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司

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  • 数量10265 
  • 厂家TOSHIBA 
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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 数量840000 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装SOT-553 
  • 批号05+NOPB4KM 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量17802 
  • 厂家TOSHIBA 
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  • 飞弛宏元器件

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  • 数量400 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装SOT553 
  • 批号05PB 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量30091 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装SOT-553 
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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 数量500 
  • 厂家TOSHIBA东芝 
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RN1704JE(TE85L,F)产品参数和技术文档

RN1704JE产品图

RN1704JE(TE85L,F)产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
4,000
0.08820
$352.80

RN1704JE(TE85L,F)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1):47 千欧

电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

频率 - 跃迁:250MHz

功率 - 最大值:100mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-553

供应商器件封装:ESV

标准包装:4,000

其它名称:RN1704JE(TE85LF)TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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