RN1905(T5L,F,T)产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）：2.2 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2）：47 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

标准包装：3,000

其它名称：RN1905(T5LFT)TR