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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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RN1964FE(TE85L,F)产品参数和技术文档

RN1963FS产品图

RN1964FE(TE85L,F)产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
4,000
0.07004
$280.14

RN1964FE(TE85L,F)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1):47 千欧

电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

频率 - 跃迁:250MHz

功率 - 最大值:100mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

供应商器件封装:ES6

标准包装:4,000

其它名称:RN1964FE(TE85LF)TR RN1964FETE85LF

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