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RN2110F产品参数
型号:RN2110F
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.44
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PDSO-F3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.1 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1
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