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| 型号: | RN2505TE85R |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS INC |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.0468 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V |
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