RN4610(TE85L,F)产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）：4.7 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2）：-

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 1mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：200MHz

功率 - 最大值：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商器件封装：SM6

标准包装：3,000

其它名称：RN4610(TE85LF)TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）