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RP1E090RPTR产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta) 2W(Ta) MPT6

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16.9 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3000pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:MPT6

封装/外壳:6-SMD,扁平引线

标准包装:1,000

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