RP1E090RPTR产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta） 2W（Ta） MPT6

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.9 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：30nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3000pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：MPT6

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

标准包装：1,000