欢迎访问ic37.com |
会员登录免费注册
发布采购
型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
  •  
  • 图片
  • 型号
  • 供货商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
  •  
  • RQ3E150GNTB
  • 八零友创集团

       该会员已使用本站13年以上

  • 数量-
  • 厂家-
  • 封装-
  • 批号-
  • -
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 0755-88917797/23949209 和我即时交谈 和我即时交谈
更多
  • RQ3E150GNTB图
  • RQ3E150GNTB优势库存
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

     该会员已使用本站14年以上

  • 数量90000 
  • 厂家Rohm Semiconductor 
  • 封装原装现货 
  • 批号21+ 
  • 只做原装MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
  • 和我即时交谈
  • 0755-82527119 83360135 专线/加QQ寻价,更精准,价格更优惠。 和我即时交谈
  • RQ3E150GNTB图
  • RQ3E150GNTB
  • 深圳市艾宇欣科技有限公司

     该会员已使用本站7年以上

  • 数量3058 
  • 厂家Rohm 
  • 封装¥¥6★★★加我,了解更多详细信息,体验一站式购物,微信同号。 
  • 批号1942+ 
  • 原厂封装
  • 和我即时交谈
  • 137-5109-0307/0755-83946786 和我即时交谈
  • RQ3E150GNTB图
  • RQ3E150GNTB
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

     该会员已使用本站14年以上

  • 数量27000 
  • 厂家Rohm 
  • 封装代理Rohm 
  • 批号21+ 
  • 只做原装公司现货一级代理销售
  • 和我即时交谈
  • 0755-83360135 82527119 专线/加QQ寻价,更精准,价格更优惠。 和我即时交谈
  • RQ3E150GNTB图
  • RQ3E150GNTB
  • 深圳承鹏兴实业有限公司

     该会员已使用本站6年以上

  • 数量2925 
  • 厂家ROHM 
  • 封装HSMT8 
  • 批号1251+ 
  • 全新原装正品PDF
  • 和我即时交谈
  • 13714705628[微信同号] +86-755-82788289 和我即时交谈
  • RQ3E150GNTB图
  • RQ3E150GNTB
  • 深圳市南方世兴科技有限公司

     该会员已使用本站9年以上

  • 数量28600 
  • 厂家ROHM/罗姆 
  • 封装HSMT8 
  • 批号2020+ 
  • 诚百客商城CBKIC.COM - 全新原装进口保证,专业配单专家
  • 和我即时交谈
  • 16625521204 和我即时交谈
  • RQ3E150GNTB图
  • RQ3E150GNTB
  • 深圳市徕派德电子有限公司

     该会员已使用本站11年以上

  • 数量3058 
  • 厂家Rohm Semiconductor 
  • 封装8-HSMT(3.2x3) 
  • 批号最新批号 
  • 全新原装假一贴十!
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 0755-83149503 和我即时交谈 和我即时交谈
  • RQ3E150GNTB图
  • RQ3E150GNTB
  • 深圳市科雨电子有限公司

     该会员已使用本站7年以上

  • 数量3675 
  • 厂家ROHM 
  • 封装DFN-8 
  • 批号21+ 
  • ¥6★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:6元
  • 和我即时交谈
  • 189-7555-9503(微信同号) 和我即时交谈

    RQ3E150GNTB相关文章

配单直通车
更多

RQ3E150GNTB产品参数和技术文档

RQ3E150GNTB产品图

RQ3E150GNTB产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.20855
$625.66

RQ3E150GNTB产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 2W(Ta),17.2W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):6.1 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):15.3nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):850pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),17.2W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-HSMT(3.2x3)

封装/外壳:8-PowerVDFN

标准包装:3,000

其它名称:RQ3E150GNTBTR

  •  
  • 供货商
  • 型号*
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。