RQ3E150MNTB1产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.7 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-HSMT（3.2x3）

封装/外壳：8-PowerVDFN

标准包装：3,000

其它名称：RQ3E150MNTB1TR