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  • 数量1701 
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RQJ0303PGDQA#H6产品参数

品牌:Renesas Electronics America

描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 800mW(Ta) 3-MPAK

制造商:Renesas Electronics America

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):68 毫欧 @ 1.6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

Vgs(最大值):+10V,-20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):625pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):800mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:3-MPAK

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装:3,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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