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| 型号: | RQJ0601DGDQSTL-E |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.21 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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