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RSD100N10TL产品参数和技术文档

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RSD100N10TL产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.57960
$1,449.00

RSD100N10TL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 10A CPT3

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Ta) 20W(Tc) CPT3

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):133 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):20W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:CPT3

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:RSD100N10TL-ND RSD100N10TLTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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