RSD201N10TL产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：55nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2100pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：850mW（Ta），20W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：CPT3

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

其它名称：RSD201N10TLTR