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RSJ650N10TL产品参数和技术文档

RSJ650N10TL产品图

RSJ650N10TL产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1,000
3.54200
$3,542.00

RSJ650N10TL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 65A LPTS

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 65A(Ta) 100W(Tc) LPTS

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):65A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 32.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):260nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):10780pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):100W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:LPTS

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1,000

其它名称:RSJ650N10TLTR

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