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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • RSJ650N10TL图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号RSJ650N10TL的概述

芯片RSJ650N10TL的概述 RSJ650N10TL是一款高性能的N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于电源管理、工业控制和电动汽车等领域。此芯片的设计理念是为高效能和低损耗提供解决方案,尤其适合于开关电源和高频开关应用。RSJ650N10TL因其卓越的导通性能和极低的漏电流,成为现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。 芯片RSJ650N10TL的详细参数 RSJ650N10TL的主要技术参数包括: 1. 最大漏源电压(Vds):650V 2. 最大持续漏电流(Id):10A 3. 最大脉冲漏电流(Id,pulse):超出限值,通常在几十安培 4. 静态栅极阈值电压(Vgs(th)):通常在2-4V之间 5. 导通电阻(Rds(on)):当Vgs在10V时,约为0.2Ω,提供极低的导通损耗...
配单直通车
RSJ650N10TL产品参数
型号:RSJ650N10TL
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROHM CO LTD
包装说明:LPTS, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:1.69
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):65 A
最大漏源导通电阻:0.0098 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):130 A
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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