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| 型号: | RT1N434C |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
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