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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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RU1C001UNTCL产品参数和技术文档

RU190N08R产品图

RU1C001UNTCL产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.06613
$198.38

RU1C001UNTCL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100mA(Ta) 150mW(Ta) UMT3F

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 100µA

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7.1pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:UMT3F

封装/外壳:SC-85

标准包装:3,000

其它名称:RU1C001UNTCL-ND RU1C001UNTCLTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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