RU1J002YNTCL产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0.9V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：800mV @ 1mA

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：26pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：UMT3F

封装/外壳：SC-85

标准包装：3,000

其它名称：RU1J002YNTCLTR