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RUQ050N02TR产品参数和技术文档

RUN8产品图

RUQ050N02TR产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.29848
$895.45

RUQ050N02TR产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):900pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.25W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TSMT6(SC-95)

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装:3,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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