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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 八零友创集团

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家Rohm Semiconductor 
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  • 只做原装MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 飞弛宏元器件

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳世捷半導體有限公司

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  • 深圳羚行科技有限公司

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  • 深圳市艾宇欣科技有限公司

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RUU002N05T106产品参数和技术文档

RUU002N05T106产品图

RUU002N05T106产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.06877
$206.31

RUU002N05T106产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3

详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 200mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):50V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):25pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):200mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:UMT3

封装/外壳:SC-70,SOT-323

标准包装:3,000

其它名称:RUU002N05T106-ND RUU002N05T106TR

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