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RW1A030APT2CR产品参数和技术文档

RW1A030APT2CR产品图

RW1A030APT2CR产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
8,000
0.12834
$1,026.72

RW1A030APT2CR产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):42 毫欧 @ 3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):22nC @ 4.5V

Vgs(最大值):-8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2700pF @ 6V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):700mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-WEMT

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

标准包装:8,000

其它名称:RW1A030APT2CR-ND RW1A030APT2CRTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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