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RW1E014SNT2R产品参数和技术文档

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RW1E014SNT2R产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
8,000
0.07038
$563.04

RW1E014SNT2R产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):240 毫欧 @ 1.4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.4nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):70pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):700mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-WEMT

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

标准包装:8,000

其它名称:RW1E014SNT2RTR

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