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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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RW1E015RPT2R产品参数和技术文档

RW1E015RP产品图

RW1E015RPT2R产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
8,000
0.08218
$657.43

RW1E015RPT2R产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 400mW(Ta) 6-WEMT

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):160 毫欧 @ 1.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):230pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):400mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:6-WEMT

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

标准包装:8,000

其它名称:RW1E015RPT2RTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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