RW1E015RPT2R产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：230pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：400mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-WEMT

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

标准包装：8,000

其它名称：RW1E015RPT2RTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）