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RZE002P02TL产品参数和技术文档

RZC05N35产品图

RZE002P02TL产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.09108
$273.24

RZE002P02TL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3

详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.4nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):115pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:EMT3

封装/外壳:SC-75,SOT-416

标准包装:3,000

其它名称:RZE002P02TLTR

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