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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 八零友创集团

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
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RZF013P01TL产品参数和技术文档

RZF013P01TL产品图

RZF013P01TL产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.10120
$303.60

RZF013P01TL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3

详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 1.3A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):260 毫欧 @ 1.3A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2.4nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):290pF @ 6V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):800mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TUMT3

封装/外壳:3-SMD,扁平引线

标准包装:3,000

其它名称:RZF013P01TLTR

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